电子束光刻机衬底充电效应带来的图形畸变

电子束光刻机加工绝缘衬底或者表面绝缘层样品时，极易产生衬底充电效应，造成图形变形、线条偏移、边缘模糊，是微纳工艺中高频遇到的工艺难题。

电子束光刻机束流漂移对曝光图形质量的影响

电子束光刻机依靠稳定的电子束流完成纳米结构的直写曝光，在微纳加工、光子晶体、微流控模具等精密样品制备领域广泛应用。

电子束光刻机加工绝缘衬底样品时，电荷累积是一类高频出现的工艺问题，会造成电子束偏转、图形偏移、线条扭曲，严重时直接导致图形完全变形，是绝缘基底微纳加工需要重点管控的环节。

电子束光刻机依靠聚焦电子束直接在光刻胶上绘制纳米图形，无需光学掩模，凭借超高分辨率，广泛用于微纳器件、量子芯片、光电子器件以及掩模板制备。

无掩膜光刻机采用数字光调制方式，依靠紫外光源、匀光组件与投影镜头，将调制后的光斑投射到光刻胶表面，曝光剂量直接决定图形的线宽、侧壁形貌。

无掩膜光刻机依靠数字微镜阵列与精密运动平台配合，将设计图形分场曝光在基板表面，无需制作实体掩膜，在 MEMS 器件、微流控芯片、衍射光学元件研发中应用广泛。

无掩膜光刻机直写加工过程中，常出现实际成型图形整体小于设计版图尺寸，细微线条、狭缝、小孔结构收缩尤为明显，同批次样品尺寸一致性差，调整曝光参数后改善效果有限，无法稳定达到工艺指标，是制约微纳结构精细化加工的常见工艺难题。

无掩膜光刻机无需物理掩模版，依靠高精度运动平台配合光学系统分场扫描完成大面积微纳图形直写，是小批量、多规格、高精度微纳加工的核心设备。