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无掩膜光刻机使用单色光源进行投影曝光时，容易在光刻胶层内部产生驻波效应，直接影响图形轮廓质量。现象为曝光后光刻胶侧壁出现周期性波浪状起伏，线条侧壁粗糙度明显升高，临界尺寸沿胶厚方向不均匀，顶部和底部线宽不一致。在薄胶工艺中驻波影响相对轻微，当光刻胶厚度接近曝光光源半波长的整数倍时，条纹缺陷会非常显著，显影后侧壁呈现明暗相间的波纹结构，后续刻蚀转移图形时，波纹会被传递到基底上，造成器件结构形貌劣化。不同品牌型号无掩膜光刻机采用的光源波长、光谱带宽、照明偏振控制性能参数不同，单色性强的窄带光源驻波效应会更加突出，宽光谱光源能够在一定程度上削弱驻波。

成因：入射曝光光到达光刻胶与基底界面时发生反射，反射光与入射光在光刻胶薄膜内部发生干涉，形成周期性强弱交替的光强分布；光强峰值区域光刻胶充分感光，谷值区域感光不足，显影之后就形成周期性侧壁波纹；基底材料反射率越高，反射光强度越大，驻波干涉现象越明显；光刻胶厚度没有做消反射匹配，进一步放大干涉效果。

改善方案：在光刻胶底层旋涂抗反射涂层，降低基底界面的光反射，从源头削弱入射光与反射光之间的干涉；调整光刻胶厚度，避开产生强干涉的厚度区间；选用光谱带宽更宽的光源，破坏相干干涉条件；增加曝光后烘烤步骤，缓解感光组分浓度分布差异，弱化驻波带来的形貌起伏；工艺调试阶段，对比不同机型光源相干性指标，高分辨率加工场景可优先配置宽谱照明模块。