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电子束光刻机加工绝缘衬底样品时，电荷累积是一类高频出现的工艺问题，会造成电子束偏转、图形偏移、线条扭曲，严重时直接导致图形完全变形，是绝缘基底微纳加工需要重点管控的环节。

电子束持续轰击绝缘材料表面，绝缘衬底与光刻胶导电能力弱，入射电子持续注入，电荷无法快速导出，会在样品表面积累形成局部静电场。这个静电场会对后续入射的电子束产生库仑力干扰，改变电子束的运动轨迹，使束斑偏离预设坐标。随着写入时间增加，表面电荷不断累积，电场强度持续变化，图形漂移会越来越明显，出现前后位置不一致、线条弯曲、局部图形拉伸收缩等现象。电荷积累程度受多重条件影响，衬底绝缘性能越强、光刻胶厚度越大，电荷泄放难度越高；加速电压、束流大小、曝光时长也会改变电荷累积速率。大面积连续曝光、高束流长时间写入，会加速电荷堆积，放大图形畸变。

在实际样品观测中，电荷累积带来的缺陷有明显特征。图形整体出现单向偏移，不同写场之间对位偏差变大；同一根线条前后粗细不一致，局部区域莫名膨胀；严重时图形发生扭曲，设计好的方形结构变成不规则形变轮廓。这类问题容易和设备热漂移、振动带来的定位误差混淆，需要通过对比导电衬底对照样区分。导电衬底能够快速导走多余电荷，一般不会出现同类畸变，以此可以判断故障来源。

行业内有多种成熟的改善手段。常用的方式是在光刻胶表面镀一层极薄导电层，用来导出表面电荷，曝光完成后再将导电层去除；也可以直接在光刻胶表层旋涂专用导电消散剂，不需要后续刻蚀剥离，操作更加简便。工艺参数层面，可降低电子束束流，减小单位时间内注入的电荷量；适当调整加速电压，优化电子在样品内部的电荷分布；采用分区域多次曝光，分段释放电荷，避免电荷持续堆积。同时，样品台与样品之间保证良好接触，降低接地电阻，辅助电荷泄放。

绝缘衬底的电荷累积属于物理效应，在制备光子晶体、薄膜器件、玻璃基底微纳结构时十分常见。工艺调试阶段，需要提前评估衬底导电特性，选择适配的电荷消散方案，搭配合理的曝光参数，才能降低静电场对电子束轨迹的干扰，保障图形的位置精度与轮廓保真度。